DDR SDRAM是具有雙倍數(shù)據(jù)傳輸率的SDRAM，其數(shù)據(jù)傳輸速度為系統(tǒng)時(shí)鐘頻率的兩倍，由于速度增加，其傳輸性能優(yōu)于傳統(tǒng)的SDRAM。DDR SDRAM 在系統(tǒng)時(shí)鐘的上升沿和下降沿都可以進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。 SDRAM 在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù)，它是在時(shí)鐘上升期進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸；而DDR則是一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)可傳輸兩次數(shù)據(jù)，也就是在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)。下面英尚微電子介紹DDR SDRAM內(nèi)存發(fā)展歷程。
 
（1） DDR SDRAM
 
DDR SDRAM雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它是SDR SDRAM的升級(jí)版，DDR SDRAM在時(shí)鐘周期的上升沿與下降沿各傳輸一次信號(hào)，使得它的數(shù)據(jù)傳輸速度是 SDR SDRAM 的兩倍，而且這樣做還不會(huì)增加功耗，至于定址與控制信號(hào)與SDR SDRAM相同，僅在上升沿傳輸，這是對(duì)當(dāng)時(shí)內(nèi)存控制器的兼容性與性能做的折中。
 
DDR SDRAM采用184pin的DIMM插槽，防呆缺口從SDR SDRAM時(shí)的兩個(gè)變成一個(gè)，常見(jiàn)工作電壓2．5V，初代DDR內(nèi)存的頻率是200MHz，隨后慢慢的誕生了DDR-266、DDR-333和那個(gè)時(shí)代主流的DDR-400，至于那些運(yùn)行在500MHz，600MHz、700MHz的都算是超頻條了，DDR內(nèi)存剛出來(lái)的時(shí)候只有單通道，后來(lái)出現(xiàn)了支持雙通芯片組，讓內(nèi)存的帶寬直接翻倍，兩根DDR－400內(nèi)存組成雙通道的話(huà)基本上可以滿(mǎn)足FBS 800MHz的奔騰4處理器，容量則是從128MB到1GB。

 
（2） DDR2 SDRAM DDR2/DDR II SDRAM是由JEDEC進(jìn)行開(kāi)發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)大的不同就是，雖然同是采用了在時(shí)鐘的上升/下降沿同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，?DDR2SDRAM 內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)取）。換句話(huà)說(shuō)，DDR2內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以4倍外部總線(xiàn)的速度讀/寫(xiě)數(shù)據(jù)，并且能夠以?xún)?nèi)部控制總線(xiàn)4倍的速度運(yùn)行。
 
DDR2的標(biāo)準(zhǔn)電壓下降至1.8V，這使得它較上代產(chǎn)品更為節(jié)能，DDR2的頻率從400MHz到1200MHz，當(dāng)時(shí)的主流的是DDR2-800，更高頻率其實(shí)都是超頻條，容量從256MB起步大4GB，不過(guò)4GB的DDR2是很少的，在DDR2時(shí)代的末期大多是單條2GB的容量。
 
（3） DDR3 SDRAM DDR3提供了相較于DDR2 SDRAM更高的運(yùn)行效能與更低的電壓，是DDR2 SDRAM的后繼者（增加至八倍），也是現(xiàn)時(shí)流行的內(nèi)存產(chǎn)品規(guī)格。

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