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飽和管壓降uces怎么求Uces怎么求?-創(chuàng)新互聯(lián)

Uces怎么求?Uces,即臨界飽和電壓,不計算,而是三極管的基本參數(shù)之一(類似于HFE狀態(tài)),將在型號規(guī)格中介紹。一般來說,低功率晶體管相對較小,為0.6-1v電平,而高功率晶體管約為2-3v。飽和管壓降uces怎么求 Uce
s怎么求?什么是晶體管的飽和管壓降,一般用什么表示?怎么求?

判斷三極管狀態(tài)的最簡單方法是查看集電極電位。如果集電極電位大約等于電源電壓,它就會被切斷。如果它大約等于飽和電壓降uces,它就是飽和的。在這兩個電壓之間是線性放大區(qū)。如果接近這兩個電壓之間的中心位置,線性度就越好。Uces是集電極-發(fā)射極飽和壓降,是指三極管處于飽和狀態(tài)時集電極和發(fā)射極之間的電壓。飽和后,無論基極電流如何變化,電壓變化都很小。

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1.三極管的飽和電壓由實際測試確定。讓它流過指定的電流,給定指定的基極電流。2三極管,全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管,又稱雙極晶體管、晶體三極管,是一種電流控制半導(dǎo)體器件。它的功能是將微弱的信號放大成較大幅度的電信號,也可用作無觸點開關(guān)。晶體三極管是半導(dǎo)體的基本元件之一,具有電流放大功能,是電子電路的核心元件。三極管是在半導(dǎo)體襯底上形成兩個彼此非常接近的PN結(jié)。兩個PN結(jié)將整個半導(dǎo)體分成三部分。中間部分是基極區(qū),兩側(cè)是發(fā)射區(qū)和集電極區(qū)。有兩種安排:PNP和NPN。

模擬電子技術(shù)中的,三極管,飽和管壓降Uces是指什么概念?

從理論上講,飽和管的電壓降是放大區(qū)和飽和區(qū)的邊界。低功率晶體管約為0.7V,高功率晶體管可達(dá)2-3v,工程上飽和與放大的界限還很模糊。對于小功率晶體管,當(dāng)uce=1V時,逐漸進(jìn)入飽和區(qū)。uce越小,飽和度越深。當(dāng)涉及到uces時,它將完全飽和,但飽和程度可以繼續(xù)加深。小功率晶體管高可達(dá)uce=0.3V左右。此時,可以說已經(jīng)深度飽和。Uces在功率放大電路的計算中特別有用。它可以計算功率晶體管本身的管耗,進(jìn)而計算效率。同時回答問題。uces計算的是放大區(qū)的大基極電流,但對于飽和區(qū),該電流不是大基極電流。


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