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本文目錄一覽

• 1，內(nèi)存BIOs設(shè)置
• 2，BIOS中內(nèi)存頻率如何設(shè)置
• 3，怎么用BIOS設(shè)置內(nèi)存我要具體的操作步驟
• 4，BIOS中內(nèi)存頻率如何設(shè)置
• 5，bios里面怎么設(shè)置內(nèi)存

1，內(nèi)存BIOs設(shè)置

同樣是800的頻率的內(nèi)存，基本上在BIOS內(nèi)是不用設(shè)定的。通常不能用，左可能是插槽內(nèi)有積灰塵，或是內(nèi)存卡上的金手指(金屬接點)有生銹，可用橡皮擦擦拭一下試試。另外有可能電腦內(nèi)部太久沒有清理灰塵，造成短路也是有可能的。

金手指擦擦，不要設(shè)置的

2，BIOS中內(nèi)存頻率如何設(shè)置

內(nèi)存的頻率是不可更改的，便是可以超頻。下面簡單介紹一下。
1．內(nèi)存同步超頻 對于內(nèi)存超頻而言，根據(jù)不同主板，可以采用不同的超頻方案，同時內(nèi)存超頻又與CPU有著直接或間接的關(guān)系，一般來說，內(nèi)存超頻的實現(xiàn)方法有兩種：一是內(nèi)存同步，即調(diào)整CPU外頻并使內(nèi)存與之同頻工作；二是內(nèi)存異步，即內(nèi)存工作頻率高出CPU外頻。
首先我們說說內(nèi)存同步超頻，我們知道，在一般情況下，CPU外頻與內(nèi)存外頻是一致的，所以在提升CPU外頻進行超頻時，也必須相應(yīng)提升內(nèi)存外頻使之與CPU同頻工作，比如我們擁有一個平臺，CPU為Athlon XP 1800+、KT600主板、DDR266內(nèi)存。Athlon XP 1800+默認(rèn)外頻為133MHz、默認(rèn)倍頻為11.5，主頻為1.53G，由于Athlon XP 1800+倍頻被鎖定了，只能通過提升外頻的方法超頻，假如將Athlon XP 1800+外頻提升到166MHz，此時CPU主頻為166MHz×11.5≈1.9GHz。由于CPU外頻提高到了166MHz，假如你使用的是DDR333以上規(guī)格內(nèi)存，那么將內(nèi)存頻率設(shè)置為166MHz屬于標(biāo)準(zhǔn)頻率下工作，但這里使用的是DDR266內(nèi)存，為了滿足CPU超頻需求，內(nèi)存也必須由原來的DDR266
（133MHz）超頻到DDR333
（166MHz）使用。
具體方法是進入BIOS設(shè)置，找到“Advanced Chipset Features” 選項，然后會看到一個“DRAM Clock”選項，將鼠標(biāo)光標(biāo)定位到這里并回車，然后會出現(xiàn)內(nèi)存頻率設(shè)置選項，在這里我們選擇“166MHz”并回車，保存設(shè)置并退出即實現(xiàn)了內(nèi)存同步超頻。
需要注意的是，超頻后的內(nèi)存在非標(biāo)準(zhǔn)頻率下工作，如果內(nèi)存品質(zhì)不好，可能造成死機，所以內(nèi)存超頻還需要看內(nèi)存本身的品質(zhì)，一般而言，市場上普遍常見的現(xiàn)代（Hyundai）、三星（Samsung）兼容DDR內(nèi)存，其都不具備很好的超頻性能。

3，怎么用BIOS設(shè)置內(nèi)存我要具體的操作步驟

BIOS 設(shè)置內(nèi)存 ? 你說的是 把667設(shè)置成 533 或者是400吧? 在BIOS里面找到 DDR 667 字樣 然后下調(diào) 條到 533 或 400

SDRAM CAS Latency Time（內(nèi)存CAS延遲時間） 可選項：2，3。內(nèi)存CAS（Column Address Strobe，列地址選通脈沖）延遲時間控制SDRAM內(nèi)存接收到一條數(shù)據(jù)讀取指令后要等待多少個時鐘周期才實際執(zhí)行該指令。同時該參數(shù)也決定了在一次內(nèi)存突發(fā)傳送過程中完成第一部分傳送所需要的時鐘周期數(shù)。這個參數(shù)越小，則內(nèi)存的速度越快。在133MHz頻率下，品質(zhì)一般的兼容內(nèi)存大多只能在CAS=3下運行，在CAS=2下運行會使系統(tǒng)不穩(wěn)定、丟失數(shù)據(jù)甚至無法啟動。CAS延遲時間是一個非常重要的內(nèi)存參數(shù)，對電腦性能的影響比較大，Intel與VIA就PC133內(nèi)存規(guī)范的分歧也與此參數(shù)有關(guān)，Intel認(rèn)為PC133內(nèi)存應(yīng)能穩(wěn)定運行于133MHz頻率、CAS=2下，而VIA認(rèn)為PC133內(nèi)存能穩(wěn)定運行于133MHz頻率即可，并未特別指定CAS值，因此Intel的規(guī)范更加嚴(yán)格，一般只有品牌內(nèi)存才能夠滿足此規(guī)范，所以大家感覺Intel的主板比較挑內(nèi)存。SDRAM Cycle Time Tras/Trc（內(nèi)存Tras/Trc時鐘周期）可選項：5/7，7/9。該參數(shù)用于確定SDRAM內(nèi)存行激活時間和行周期時間的時鐘周期數(shù)。Tras代表SDRAM行激活時間（Row Active Time），它是為進行數(shù)據(jù)傳輸而開啟行單元所需要的時鐘周期數(shù)。Trc代表SDRAM行周期時間（Row Cycle Time），它是包括行單元開啟和行單元刷新在內(nèi)的整個過程所需要的時鐘周期數(shù)。出于最佳性能考慮可將該參數(shù)設(shè)為5/7，這時內(nèi)存的速度較快，但有可能出現(xiàn)因行單元開啟時間不足而影響數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r，在SDRAM內(nèi)存的工作頻率高于100MHz時尤其是這樣，即使是品牌內(nèi)存大多也承受不了如此苛刻的設(shè)置。SDRAM RAS-TO-CAS Delay（內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時間）可選項：2，3。該參數(shù)可以控制SDRAM行地址選通脈沖（RAS，Row Address Strobe）信號與列地址選通脈沖信號之間的延遲。對SDRAM進行讀、寫或刷新操作時，需要在這兩種脈沖信號之間插入延遲時鐘周期。出于最佳性能考慮可將該參數(shù)設(shè)為2，如果系統(tǒng)無法穩(wěn)定運行則可將該參數(shù)設(shè)為3。（^23030501a^）　　SDRAM RAS Precharge Time（內(nèi)存行地址選通脈沖預(yù)充電時間）可選項：2，3。該參數(shù)可以控制在進行SDRAM刷新操作之前行地址選通脈沖預(yù)充電所需要的時鐘周期數(shù)。將預(yù)充電時間設(shè)為2可以提高SDRAM的性能，但是如果2個時鐘周期的預(yù)充電時間不足，則SDRAM會因無法正常完成刷新操作而不能保持?jǐn)?shù)據(jù)

步驟很少 但是選項和定義很多 建議你自己研究主板說明書

4，BIOS中內(nèi)存頻率如何設(shè)置

內(nèi)存的頻率是不可更改的，便是可以超頻。下面簡單介紹一下。nbsp;1．內(nèi)存同步超頻nbsp;對于內(nèi)存超頻而言，根據(jù)不同主板，可以采用不同的超頻方案，同時內(nèi)存超頻又與CPU有著直接或間接的關(guān)系，一般來說，內(nèi)存超頻的實現(xiàn)方法有兩種：一是內(nèi)存同步，即調(diào)整CPU外頻并使內(nèi)存與之同頻工作；二是內(nèi)存異步，即內(nèi)存工作頻率高出CPU外頻。nbsp;首先我們說說內(nèi)存同步超頻，我們知道，在一般情況下，CPU外頻與內(nèi)存外頻是一致的，所以在提升CPU外頻進行超頻時，也必須相應(yīng)提升內(nèi)存外頻使之與CPU同頻工作，比如我們擁有一個平臺，CPU為Athlonnbsp;XPnbsp;1800+、KT600主板、DDR266內(nèi)存。Athlonnbsp;XPnbsp;1800+默認(rèn)外頻為133MHz、默認(rèn)倍頻為11.5，主頻為1.53G，由于Athlonnbsp;XPnbsp;1800+倍頻被鎖定了，只能通過提升外頻的方法超頻，假如將Athlonnbsp;XPnbsp;1800+外頻提升到166MHz，此時CPU主頻為166MHz×11.5≈1.9GHz。由于CPU外頻提高到了166MHz，假如你使用的是DDR333以上規(guī)格內(nèi)存，那么將內(nèi)存頻率設(shè)置為166MHz屬于標(biāo)準(zhǔn)頻率下工作，但這里使用的是DDR266內(nèi)存，為了滿足CPU超頻需求，內(nèi)存也必須由原來的DDR266
（133MHz）超頻到DDR333
（166MHz）使用。nbsp;具體方法是進入BIOS設(shè)置，找到“Advancednbsp;Chipsetnbsp;Features”nbsp;選項，然后會看到一個“DRAMnbsp;Clock”選項，將鼠標(biāo)光標(biāo)定位到這里并回車，然后會出現(xiàn)內(nèi)存頻率設(shè)置選項，在這里我們選擇“166MHz”并回車，保存設(shè)置并退出即實現(xiàn)了內(nèi)存同步超頻。nbsp;需要注意的是，超頻后的內(nèi)存在非標(biāo)準(zhǔn)頻率下工作，如果內(nèi)存品質(zhì)不好，可能造成死機，所以內(nèi)存超頻還需要看內(nèi)存本身的品質(zhì)，一般而言，市場上普遍常見的現(xiàn)代（Hyundai）、三星（Samsung）兼容DDR內(nèi)存，其都不具備很好的超頻性能。nbsp;2．內(nèi)存異步超頻nbsp;在內(nèi)存同步工作模式下，內(nèi)存的運行速度與CPU外頻相同。而內(nèi)存異步則是指兩者的工作頻率可存在一定差異。該技術(shù)可令內(nèi)存工作在高出或低于系統(tǒng)總線速度33MHz或3:4、4:5（內(nèi)存:外頻）的頻率上，這樣可以緩解超頻時經(jīng)常受限于內(nèi)存的“瓶頸”。nbsp;對于支持SDRAM內(nèi)存的老主板而言（如815系列），在支持內(nèi)存異步的主板BIOS中，可以在“DRAMnbsp;Clock”下找到“Hostnbsp;Clock”、“Hclk-33M”、“Hclk+33M”三個模式。其中Hostnbsp;Clock為總線頻率和內(nèi)存工作頻率同步，Hclk-33M表示總線頻率減少33M，而Hclk+33M可以使內(nèi)存的工作頻率比系統(tǒng)外頻高出33MHz，比如將賽揚1.0G外頻從100MHz超到125MHz，而你的內(nèi)存為PC133規(guī)格（即標(biāo)準(zhǔn)外頻為133MHz），此時在BIOS的“DRAMnbsp;Clock”下選擇“Hclk+33M”，可以讓賽揚1.0G工作在125MHz外頻下，而內(nèi)存卻可以在133MHz頻率下運行，充分挖掘內(nèi)存的超頻潛力并提升系統(tǒng)性能。nbsp;而對于支持DDR內(nèi)存的老主板而言（如845G芯片組），Intel規(guī)定845G只支持DDR266
（133MHz×2）內(nèi)存，不過有的品牌845G主板在BIOS中加入內(nèi)存異步功能，在BIOS中按照4:5的比例進行設(shè)置，可以讓內(nèi)存運行在166MHz，從而支持DDR333
（166MHz×2），并使內(nèi)存帶寬提升到2.66GB/s。具體操作方式是：進入BIOS設(shè)置中，進入“Advancednbsp;Chipsetnbsp;Features”的“DRAMnbsp;Timingnbsp;Setting”選項，然后進入“DRAMnbsp;Frequency（內(nèi)存頻率）”選項，在這里可以看到266MHz、320MHz、400MHz、500MHznbsp;Auto等選項，直接選中“320MHz”即可。nbsp;一般來說AMD的U同步比異步工作要好，而INTEL就不然.nbsp;3．增加電壓幫助超頻nbsp;內(nèi)存頻率提升了，所以內(nèi)存功耗也隨之增加，但在默認(rèn)情況下，主板BIOS中內(nèi)存電壓參數(shù)是被設(shè)置為內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)頻率的數(shù)值，通常來說，為了確保內(nèi)存超頻的穩(wěn)定性，我們需要增加內(nèi)存電壓，很多主板BIOS設(shè)置中都提供了內(nèi)存電壓調(diào)節(jié)功能，同時內(nèi)存電壓調(diào)節(jié)級別一般以0.05V或0.1V為檔次逐漸調(diào)節(jié)，內(nèi)存電壓參數(shù)調(diào)節(jié)越細(xì)微，對超頻越

5，bios里面怎么設(shè)置內(nèi)存

Above 1MB Memory Test：設(shè)置開機自檢時是否檢測1M以上內(nèi)存。該選項已經(jīng)在新的BIOS中被淘汰。由于內(nèi)存價格暴跌，電腦用戶安裝內(nèi)存容量陡然增加，開機時的大容量內(nèi)存自檢時間太長，今后，即使一遍的內(nèi)存檢測可能也會出現(xiàn)允許/禁止開關(guān)。Auto Configuration：設(shè)置為允許時，BIOS按照最佳狀態(tài)設(shè)置。BIOS可以自動設(shè)置內(nèi)存定時，因此會禁止一些對內(nèi)存設(shè)置的修改，建議選擇允許方式。Memory Test Tick Sound：是否發(fā)出內(nèi)存自檢的滴嗒聲。如果您閑它煩，可以關(guān)閉它們。Memory Parity Error Check：設(shè)置是否要設(shè)置內(nèi)存奇偶校驗。多在30線內(nèi)存條使用時代，已經(jīng)被淘汰。但把非奇偶校驗內(nèi)存強行進行奇偶校驗設(shè)置會使電腦無法開機。Cache Memory Controller：是否使用高速緩存。不在流行的Award BIOS中使用。Shadow RAM Option：設(shè)置系統(tǒng)BIOS或顯示卡BIOS是否映射到常規(guī)內(nèi)存中?？梢约涌焖俣龋部赡茉斐伤罊C。Internal Cache Memory：是否使用CPU內(nèi)部緩存(一級緩存)?？梢蕴岣呦到y(tǒng)性能。External Cache Memory：是否使用CPU外部緩存(主板上的二級緩存)?？梢蕴岣呦到y(tǒng)性能。AMD新的具有兩級緩存的CPU的出現(xiàn)，使主板上的二級緩存退居成三級緩存。Concurrent Refresh：直譯是同時發(fā)生的刷新。設(shè)置CPU在對其它I/O操作時對內(nèi)存同時刷新，可以提高系統(tǒng)性能。DRAM Read Wait State：設(shè)置CPU從內(nèi)存讀數(shù)據(jù)時的等待時鐘周期。在內(nèi)存比CPU慢時可以設(shè)置更多的等待。DRAM Write Wait State：設(shè)置CPU向內(nèi)存寫數(shù)據(jù)時的等待時鐘周期。在內(nèi)存比CPU慢時可以設(shè)置更多的等待。Slow Refresh：對質(zhì)量好的內(nèi)存，保持?jǐn)?shù)據(jù)的時間比較長，可以設(shè)置更長的時間周期，從而提高系統(tǒng)性能。Shadow Cachecable：把映射到常規(guī)內(nèi)存的BIOS ROM增加高速緩存，使性能更進一步。Page Mode：使內(nèi)存工作于Page Mode或Page Interleaved模式。RAS Timeout Counter：使Page Mode或Page Interleaved模式的工作速度更快。因為有可能會超過內(nèi)存RAS周期，因此采用計數(shù)器來監(jiān)視RAS周期，一旦超過RAS周期，則將周期 自動復(fù)位為0。Memory Relocation：內(nèi)存重新定位。即將384的上位內(nèi)存(Upper Memory Block)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)儲到1MB以上的擴展內(nèi)存中。Memory Hole：有人稱作內(nèi)存孔洞。把內(nèi)存地址15MB-16MB的區(qū)域留給一些特殊的ISA擴展卡使用，可以加速該卡工作速度或避免沖突。一般被設(shè)置成禁止，除非ISA擴展卡有專門的說明。DRMA Timing Setting：快頁內(nèi)存或EDO內(nèi)存速度設(shè)置，通常是60ns或70ns選擇，對10ns或更快的SDRAM內(nèi)存無效。Fast MA to RAS Delay：設(shè)置內(nèi)存地址(Memory Address)到內(nèi)存行地址觸發(fā)信號(RAS)之間的延遲時間。DRAM Write Brust Timing：CPU把數(shù)據(jù)寫如高速緩存后，再寫如內(nèi)存的延遲時間。Fast RAS To CAS Delay：行地址觸發(fā)信號到列地址觸發(fā)信號之間的延遲時間。通常是RAS#下降到CAS#下降之間的時間。DRAM Lead-Off Timing：CPU讀/寫內(nèi)存前的時間。DRAM Speculative Read：設(shè)置成允許時，讀內(nèi)存的時間比正常時間提前一個時間周期，可以提高系統(tǒng)性能。DRAM Data Integrity Mode：選擇內(nèi)存校驗方式是Parity或ECC。Refresh RAS Assertion：設(shè)置內(nèi)存的行地址刷新時間周期，對質(zhì)量好的內(nèi)存可以延遲刷新，從而提高系統(tǒng)性能。RAS Recharge Period：內(nèi)存行地址信號預(yù)先充電所需要的時間。Fast EDO Path Select：設(shè)置選擇對EDO內(nèi)存讀/寫的快速途徑，可以提高系統(tǒng)性能。SDRAM RAS Latency：設(shè)置SDRAM內(nèi)存的行地址觸發(fā)到列地址觸發(fā)的時間延遲。SDRAM RAS Timing：設(shè)置系統(tǒng)對SDRAM內(nèi)存的行地址觸發(fā)時間，也即刷新時間。Peer Concurrency：為提高系統(tǒng)并行，使CPU對高速緩存或內(nèi)存或PCI設(shè)備，或PCI的主控信號對PCI外圍設(shè)備等等操作同時進行。系統(tǒng)智能越高，同CPU并行的操作越多，性能提高越多。