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1,內(nèi)存條的cl設(shè)置是什么
我來告訴你:
CL叫做“延遲”,是越小越好,但是對于使用沒有明顯的感覺。
CL=2說明內(nèi)存的延遲是2個CPU周期,CL=3就是3個CPU周期。2,計算機中的CL是什么意思cl或許是電子學(xué)
CL設(shè)置是計算機中專業(yè)術(shù)語,一定程度上反映出了該內(nèi)存在CPU接到讀取內(nèi)存數(shù)據(jù)的指令后,到正式開始讀取數(shù)據(jù)所需的等待時間。你這個詞出現(xiàn)在什么地方的?寄存器的名?3,怎么調(diào)高BIOS里面的內(nèi)存的CL值
CL(CAS Latency):為CAS的延遲時間,這是縱向地址脈沖的反應(yīng)時間,也是在一定頻率下衡量支持不同規(guī)范的內(nèi)存的重要標(biāo)志之一。CL值越低越快,一般設(shè)置在2-3之間為好,可以在開機時按DEl鍵,然后進入高級芯片組功能設(shè)置(Advanced Chipset Features)的內(nèi)存設(shè)置(DRAM Configuration)設(shè)置就行了(具體主板可能各有不同)4,如何修改BIOS中的內(nèi)存CL值
內(nèi)存延遲表示系統(tǒng)進入數(shù)據(jù)存取操作就緒狀態(tài)前等待內(nèi)存相應(yīng)的時間,它通常用4個連著的阿拉伯?dāng)?shù)字來表示,例如“3-4-4-8”。其中第一個數(shù)字表示內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)所需的延遲時間(CAS Latency),即我們常說的CL值;第二個數(shù)字表示從內(nèi)存行地址到列地址的延遲時間(tRCD);第三個數(shù)字表示內(nèi)存行地址控制器預(yù)充電時間(tRP),即內(nèi)存從結(jié)束一個行訪問到重新開始的間隔時間;第四個數(shù)字表示內(nèi)存行地址控制器激活時間(tRAS)。一般來說,這4個數(shù)字越小,表示內(nèi)存性能越好。 FSB(或是FrontSideBus,前端總線)是超頻最容易和最常見的方法之一。 CL值和FSB都是CMOS中的一項設(shè)置內(nèi)容,在主流的主板中都有設(shè)置選項。具體如何設(shè)置,請參見主板說明書。
5,在BIOS里怎么把CL 值調(diào)低
一般DDR 一代的內(nèi)存默認 CL 是 3 , DDR2 CL 是 6 , DDR3 CL 是9 。 CL 越低越好。 CL 可以到BIOS 里調(diào)試, 如果內(nèi)存質(zhì)量好的話, CL 可以適當(dāng)降低點, 質(zhì)量差, 兼容性差的內(nèi)存建議不要更改CL, 因為這個對內(nèi)存有損傷。 具體調(diào)試方法: 這里以Award BIOS 為準(zhǔn)來說明具體的更改方法(不同的BIOS 有不同的方法) 首先開機按 DEL 鍵進入BIOS。 找到Advanced Chipset Features (高級芯片組特性) 再找到 CAS Latency (簡稱CL) 然后在這里修改你要更改的數(shù)值。 ` 一部分主板的BIOS 的內(nèi)存CL設(shè)置是在 BIOS 里的 MB Intelligent Tweaker (M.I.T 頻率/電壓控制) 里面, 然后再找到 DRAM Configuration 把這項先打開才能設(shè)置。 再找到CAS# Latency 設(shè)置CL 值, 設(shè)置好以后, 按F10保存退出。 ` 回答希望能夠幫到您! 寶寶丶嗨情歌 原創(chuàng)! 抄襲可恥! 希望您能夠滿意! 謝謝!
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