IS62WV102416DBLL是超低功耗CMOS 16Mbit靜態(tài)RAM，組織為1M字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的。這種高度可靠的工藝加上創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)，可生產(chǎn)出高性能和低功耗的設(shè)備。 IS62WV102416DALL/DBLL和IS65WV102416DALL / DBLL封裝在48引腳TSOP（I型）中。
 
功能說明
SRAM 是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器之一。每個(gè)字節(jié)或字都有一個(gè)地址，可以隨機(jī)訪問。 SRAM支持三種不同的模式。
 
待機(jī)模式
取消選擇時(shí)，設(shè)備進(jìn)入待機(jī)模式（HIGH或CS2 LOW或兩者都為HIGH）。輸入和輸出引腳（I / O0-15）處于高阻抗?fàn)顟B(tài)。根據(jù)輸入電平，此模式下的電流消耗為ISB1或ISB2。此模式下的CMOS輸入將最大程度地節(jié)省功率。
 
寫模式
選擇芯片時(shí)（LOW和CS2 HIGH），寫使能（）輸入LOW時(shí)的寫操作問題。輸入和輸出引腳（I / O0-15）處于數(shù)據(jù)輸入模式。即使為L(zhǎng)OW，在此期間輸出緩沖區(qū)也會(huì)關(guān)閉。并啟用字節(jié)寫入功能。通過啟用LOW，來自I / O引腳（I / O0至I / O7）的數(shù)據(jù)被寫入該位置。

在地址引腳上指定。處于低電平時(shí)，來自I / O引腳（I / O8至I / O15）的數(shù)據(jù)被寫入該位置。
 
讀取模式
選擇芯片時(shí)（LOW和CS2為HIGH），寫使能（）輸入為HIGH時(shí)，讀操作出現(xiàn)問題。當(dāng)為低電平時(shí)，輸出緩沖器打開以進(jìn)行數(shù)據(jù)輸出。不允許在讀取模式下對(duì)I / O引腳進(jìn)行任何輸入。并啟用字節(jié)讀取功能。通過啟用LOW，來自存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)出現(xiàn)在I / O0-7上。處于低電平時(shí)，來自內(nèi)存的數(shù)據(jù)將出現(xiàn)在I / O8-15上。
 
在讀取模式下，可以通過拉高來關(guān)閉輸出緩沖器。在此模式下，內(nèi)部設(shè)備作為READ操作，但I(xiàn) / O處于高阻抗?fàn)顟B(tài)。由于器件處于讀取模式，因此使用有功電流。
 
工作溫度范圍
商用工作溫度為0°C至+ 70°C ，電壓為2.2V 3.3V 3.6V
工業(yè)工作溫度為-40°C至+ 85°C ，電壓為2.2V 3.3V 3.6V
汽車類工作溫度為 -40°C至+ 125°C，電壓為2.2V 3.3V 3.6V

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