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1，bois 內存設置
嘩膽糕感蕹啡革拾宮漿此項控制DDR2雙通道功能。這四個選項是內存尋址方式xor of address bits [20:16,6]xor of address bits [20:16,9]這兩個都可選2，怎么用BIOS設置內存我要具體的操作步驟
BIOS 設置內存 ? 你說的是 把667設置成 533 或者是400吧? 在BIOS里面找到 DDR 667 字樣 然后下調 條到 533 或 400SDRAM CAS Latency Time（內存CAS延遲時間） 可選項：2，3。內存CAS（Column Address Strobe，列地址選通脈沖）延遲時間控制SDRAM內存接收到一條數據讀取指令后要等待多少個時鐘周期才實際執(zhí)行該指令。同時該參數也決定了在一次內存突發(fā)傳送過程中完成第一部分傳送所需要的時鐘周期數。這個參數越小，則內存的速度越快。在133MHz頻率下，品質一般的兼容內存大多只能在CAS=3下運行，在CAS=2下運行會使系統(tǒng)不穩(wěn)定、丟失數據甚至無法啟動。CAS延遲時間是一個非常重要的內存參數，對電腦性能的影響比較大，Intel與VIA就PC133內存規(guī)范的分歧也與此參數有關，Intel認為PC133內存應能穩(wěn)定運行于133MHz頻率、CAS=2下，而VIA認為PC133內存能穩(wěn)定運行于133MHz頻率即可，并未特別指定CAS值，因此Intel的規(guī)范更加嚴格，一般只有品牌內存才能夠滿足此規(guī)范，所以大家感覺Intel的主板比較挑內存。 SDRAM Cycle Time Tras/Trc（內存Tras/Trc時鐘周期）可選項：5/7，7/9。該參數用于確定SDRAM內存行激活時間和行周期時間的時鐘周期數。Tras代表SDRAM行激活時間（Row Active Time），它是為進行數據傳輸而開啟行單元所需要的時鐘周期數。Trc代表SDRAM行周期時間（Row Cycle Time），它是包括行單元開啟和行單元刷新在內的整個過程所需要的時鐘周期數。出于最佳性能考慮可將該參數設為5/7，這時內存的速度較快，但有可能出現因行單元開啟時間不足而影響數據傳輸的情況，在SDRAM內存的工作頻率高于100MHz時尤其是這樣，即使是品牌內存大多也承受不了如此苛刻的設置?！ DRAM RAS-TO-CAS Delay（內存行地址傳輸到列地址的延遲時間）可選項：2，3。該參數可以控制SDRAM行地址選通脈沖（RAS，Row Address Strobe）信號與列地址選通脈沖信號之間的延遲。對SDRAM進行讀、寫或刷新操作時，需要在這兩種脈沖信號之間插入延遲時鐘周期。出于最佳性能考慮可將該參數設為2，如果系統(tǒng)無法穩(wěn)定運行則可將該參數設為3。（^23030501a^） SDRAM RAS Precharge Time（內存行地址選通脈沖預充電時間）可選項：2，3。該參數可以控制在進行SDRAM刷新操作之前行地址選通脈沖預充電所需要的時鐘周期數。將預充電時間設為2可以提高SDRAM的性能，但是如果2個時鐘周期的預充電時間不足，則SDRAM會因無法正常完成刷新操作而不能保持數據步驟很少 但是選項和定義很多 建議你自己研究主板說明書3，bios里面怎么設置內存
Above 1MB Memory Test：設置開機自檢時是否檢測1M以上內存。該選項已經在新的BIOS中被淘汰。由于內存價格暴跌，電腦用戶安裝內存容量陡然增加，開機時的大容量內存自檢時間太長，今后，即使一遍的內存檢測可能也會出現允許/禁止開關。 Auto Configuration：設置為允許時，BIOS按照最佳狀態(tài)設置。BIOS可以自動設置內存定時，因此會禁止一些對內存設置的修改，建議選擇允許方式。 Memory Test Tick Sound：是否發(fā)出內存自檢的滴嗒聲。如果您閑它煩，可以關閉它們。 Memory Parity Error Check：設置是否要設置內存奇偶校驗。多在30線內存條使用時代，已經被淘汰。但把非奇偶校驗內存強行進行奇偶校驗設置會使電腦無法開機。 Cache Memory Controller：是否使用高速緩存。不在流行的Award BIOS中使用。 Shadow RAM Option：設置系統(tǒng)BIOS或顯示卡BIOS是否映射到常規(guī)內存中?？梢约涌焖俣龋部赡茉斐伤罊C。 Internal Cache Memory：是否使用CPU內部緩存(一級緩存)。可以提高系統(tǒng)性能。 External Cache Memory：是否使用CPU外部緩存(主板上的二級緩存)?？梢蕴岣呦到y(tǒng)性能。AMD新的具有兩級緩存的CPU的出現，使主板上的二級緩存退居成三級緩存。 Concurrent Refresh：直譯是同時發(fā)生的刷新。設置CPU在對其它I/O操作時對內存同時刷新，可以提高系統(tǒng)性能。 DRAM Read Wait State：設置CPU從內存讀數據時的等待時鐘周期。在內存比CPU慢時可以設置更多的等待。 DRAM Write Wait State：設置CPU向內存寫數據時的等待時鐘周期。在內存比CPU慢時可以設置更多的等待。 Slow Refresh：對質量好的內存，保持數據的時間比較長，可以設置更長的時間周期，從而提高系統(tǒng)性能。 Shadow Cachecable：把映射到常規(guī)內存的BIOS ROM增加高速緩存，使性能更進一步。 Page Mode：使內存工作于Page Mode或Page Interleaved模式。 RAS Timeout Counter：使Page Mode或Page Interleaved模式的工作速度更快。因為有可能會超過內存RAS周期，因此采用計數器來監(jiān)視RAS周期，一旦超過RAS周期，則將周期 自動復位為0。 Memory Relocation：內存重新定位。即將384的上位內存(Upper Memory Block)數據轉儲到1MB以上的擴展內存中。 Memory Hole：有人稱作內存孔洞。把內存地址15MB-16MB的區(qū)域留給一些特殊的ISA擴展卡使用，可以加速該卡工作速度或避免沖突。一般被設置成禁止，除非ISA擴展卡有專門的說明。 DRMA Timing Setting：快頁內存或EDO內存速度設置，通常是60ns或70ns選擇，對10ns或更快的SDRAM內存無效。 Fast MA to RAS Delay：設置內存地址(Memory Address)到內存行地址觸發(fā)信號(RAS)之間的延遲時間。 DRAM Write Brust Timing：CPU把數據寫如高速緩存后，再寫如內存的延遲時間。 Fast RAS To CAS Delay：行地址觸發(fā)信號到列地址觸發(fā)信號之間的延遲時間。通常是RAS#下降到CAS#下降之間的時間。 DRAM Lead-Off Timing：CPU讀/寫內存前的時間。 DRAM Speculative Read：設置成允許時，讀內存的時間比正常時間提前一個時間周期，可以提高系統(tǒng)性能。 DRAM Data Integrity Mode：選擇內存校驗方式是Parity或ECC。 Refresh RAS Assertion：設置內存的行地址刷新時間周期，對質量好的內存可以延遲刷新，從而提高系統(tǒng)性能。 RAS Recharge Period：內存行地址信號預先充電所需要的時間。 Fast EDO Path Select：設置選擇對EDO內存讀/寫的快速途徑，可以提高系統(tǒng)性能。 SDRAM RAS Latency：設置SDRAM內存的行地址觸發(fā)到列地址觸發(fā)的時間延遲。 SDRAM RAS Timing：設置系統(tǒng)對SDRAM內存的行地址觸發(fā)時間，也即刷新時間。 Peer Concurrency：為提高系統(tǒng)并行，使CPU對高速緩存或內存或PCI設備，或PCI的主控信號對PCI外圍設備等等操作同時進行。系統(tǒng)智能越高，同CPU并行的操作越多，性能提高越多。4，BIOS里的虛擬內存怎么設
BIOS是不能設置虛擬內存的。bios是英文Basic Input/output System的縮寫，意思是“基本輸入/輸出系統(tǒng)”。它是操作系統(tǒng)和硬件之間連接的橋梁，負責在電腦開啟時檢測、初始化系統(tǒng)設備、裝入操作系統(tǒng)并調度操作系統(tǒng)向硬件發(fā)出的指令。設置虛擬內存的方法：1. 時入系統(tǒng)，右擊“我的電腦”選擇屬性2. 選擇“高級”標簽3. 選擇“性能”中的“設置”4. 選擇“高級”標簽并選擇“虛擬內存”中的“更改5. 選擇一個空閑空間較大的非系統(tǒng)盤6. 選擇“自定義大小”并按照自己的內存大小分配（推薦設置自己內存大小的1.5～3倍，例如1GB的內存我們可以設置為2GB），但是系統(tǒng)要求輸入以MB為單位的數值，(1GB=1024MB)。假如我們是1GB的內存，那我們應該輸入2048MB（初始大小和最大值相同）7. 點擊“設置”根據提示選擇“確定”8. 提示重啟電腦以生效9. 重啟電腦。完成設置BIOS是英文Basic Input/output System的縮寫，意思是“基本輸入/輸出系統(tǒng)”。它是操作系統(tǒng)和硬件之間連接的橋梁，負責在電腦開啟時檢測、初始化系統(tǒng)設備、裝入操作系統(tǒng)并調度操作系統(tǒng)向硬件發(fā)出的指令。 談到BIOS，不能不先說說Firmeare(固件)和ROM（Read Only Memory,只讀存儲器）芯片。Firmeare是軟件，但與普通的軟件完全不同，它是固化在集成電路內部的程序代碼，集成電路的功能就是由這些程序決定的。ROM是一種可在一次性寫入Firmware(這就是“固化”過程)后，多次讀取的集成電路塊。由此可見，ROM僅僅只是Firmware的載體，而我們通常所說的BIOS正是固化了系統(tǒng)主板Firmware的ROM芯片。 最初的主板BIOS芯片采用的是ROM，它的Firmware代碼是在芯片生產過程中固化的，并且永遠無法修改。后來，電腦中又采用了一種可重復寫入的ROM作為系統(tǒng)BIOS芯片，這就是EPROM(Erasable Programmable ROM，可擦除可編程ROM)。 現在的主板BIOS幾乎都采用Flash ROM(快閃ROM)，它其實就是一種可快速讀寫的EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)，顧名思義，它是一種在一定的電壓、電流條件下，可對其Firmware進行更新的集成電路塊。兼容機和國產品牌機BIOS大多采用AWARD或AMI公司的Firmware，國外的品牌電腦的BIOS則幾乎全部采用Phoenix公司的Firmware。不管BIOS軟件代碼有何區(qū)別，它們的硬件部分（Flash ROM芯片）是大致相同的，BIOS芯片大多位于主板的ISA和PCI插槽交匯處的上方（也有部分主板將BIOS芯片安排在主板的左下方位置），芯片表面一般貼有BIOS Firmware提供商的激光防偽標貼。一般不是直接焊在主板上，而是插在一個專用的插槽上。 有很多芯片廠商都在生產Flash ROM芯片，我們在主板上常見的有Winbond、SST、Intel、MXIC、ATMEL等品牌的產品，這些廠商又提供了很多種型號的芯片，型號不同，芯片的存儲容量和讀寫電壓也不同。Flash ROM芯片大致分為28、29兩大系列28系列的Flash ROM芯片是雙電壓設計的，它可以在5V的電壓的條件下讀取，而寫入則必須提供12V的電壓。采用這種芯片的主板在升級時，會給普通的電腦用戶造成不小的麻煩---要開機箱、改跳線設置，太麻煩了。29系列的Flash ROM芯片則相對簡單，由于其采用單電壓設計，讀寫都采用5V電壓，因此只動用軟件就可以完成讀寫Firmware的操作。在主板說明書中，主板廠商還列出了Flash ROM芯片的容量，其中有1M和2M兩種容量的型號。這里，“M”的單位是指“Mbit”，1M的Flash ROM芯片實際能存儲的容量為1Mbit=8*128Kbyte(1Byte=8bit)，2M的芯片為256K。以上這些技術參數都可以通過芯片正面的編號來區(qū)分，這個編號是嚴格遵循集成電路編號規(guī)則來標注的，如：臺灣Winbond(華邦)公司的Flash ROM芯片，芯片編號為“29C020”。前兩位“29”表明這是一塊5V電壓讀寫的Flash ROM芯片，后面的“020”代表容量為2Mbit。如Intel生產的Flash ROM芯片，它的芯片編號為“28F010”，由此可知該芯片是5V讀、12V寫，容量為1Mbit的Flash ROM芯片。 Flash ROM芯片最誘人的特性，是它的Firmware更新操作可以只使用計算機軟件來完成。這一特性和運用，使原本深藏在計算機內部不為人知的BIOS，一下子“暴露”在了我們面前，并為我們免費獲得對新硬件的支持、修正BIOS代碼錯誤成為可能。當然，正是由于這個提供給我們方便的特性，也為CIH病毒提供了便利，使其能對采用單電壓讀寫的Flash ROM芯片進行惡意的破壞。但是不用擔心，CIH病毒破壞的只是固化在芯片中的Firmware，它并不能對Flash ROM芯片本身造成物理損壞。 以上我們談的都是系統(tǒng)主板的BIOS?，F在，越來越多的電腦部伯開始采用Flash ROM 來固化硬件的底層控制代碼，許多廠商也將這些控制代碼和承載這些代碼的芯片稱之為BIOS。這些可以更新“BIOS“的硬件包括顯示卡、MODEM、網卡、CDR驅動器、數字相機甚至一些硬盤等等。這些電腦板卡或周邊調和設備使用的Flash ROM芯片，也與主板BIOS芯片大同小異。 BIOS的Firmware代碼決定了系統(tǒng)對硬件支持、協(xié)調的能力?，F在新硬件層出不窮，BIOS不可能預先具備對如此繁多的硬件的支持，這依賴于對BIOS Firmware的更新來完善。比如使B X 主板“認識”PIII、讓i740顯卡在非Intel芯片組的主板上正常工作等，都需要升級主板BIOS才能實現。另外，任何一種硬件都有可能因設計上的不足或BUG（錯誤），而和系統(tǒng)發(fā)生各種各樣的沖突甚至使電腦不能穩(wěn)定工作。這些問題也可以通過升級BIOS來解決，而且這時就有兩個途徑來解決問題，一是升級主板BIOS，一是升級具體硬件的BIOS（如果它的BIOS具有升級能力的話）。 BIOS的設定信息并未儲存在BIOS芯片中，而是儲存在主板的南橋芯片中或整合芯片組中或ICH中的一部分RAM內，該RAM只有256字節(jié)。 主板上的電池并不是為BIOS供電，而是給南橋芯片中或整合芯片組中或ICH中的RAM供電。（眾所周知，只讀存儲器不需要供電，而BIOS芯片即Flash Rom、EPROM都是只讀存儲器）由于BIOS程序的開發(fā)廠商不只一家，所以BIOS出錯報警鳴音的定義自然不同了，詳情見PCD2001.12 P66。 BIOS芯片廠商和BIOS廠商是不一樣的，一個是硬件生產者（有Intel、AMD、Winbond、SST、Atmel等）一個是軟件開發(fā)者。虛擬內存不通過BIOS設置通過操作系統(tǒng)設置我的電腦-右鍵-屬性-高級-性能-設置-高級--虛擬內存您好樓主，具體可以參考哦：http://memory.zol.com.cn/246/2460848_all.html一臺計算機得以正常工作，主要是依靠CPU、主板、顯卡、內存和硬盤相互協(xié)作，缺一不可，所以說無論哪一部分都是計算機的重要成員。其中內存是與CPU進行溝通的橋梁。計算機中所有程序的運行都是在內存中進行的，因此內存的性能對計算機的影響非常大。 對于內存超頻而言，根據不同主板，可以采用不同的超頻方案，同時內存超頻又與CPU有著直接或間接的關系，一般來說，內存超頻的實現方法有兩種：一是內存同步，即調整CPU外頻并使內存與之同頻工作；二是內存異步，即內存工作頻率高出CPU外頻。這個設置不僅能調節(jié)內存頻率，還可以對處理器進行調節(jié)。不過內存超頻本來就是和CPU有著很大關系的?！∪缓髲南聢D看出，分頻器一共可以分為6-18共七個檔，對應的內存頻率為DDR3-800到DDR3-2400，具體算法就是上圖CPU外頻為133，通過內存分頻后，將兩者相乘就是最后的頻率。
本文題目：bios怎么設置內存，bois內存設置
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